我们为全球各个行业提供三星半导体 K7N163645M-QC15现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

作为一款面向高性能计算和存储应用的高密度同步动态随机存取存储器，K7N163645M-QC15采用了先进的DDR4 SDRAM架构。其核心设计基于双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理频率下实现了倍增的有效数据带宽。芯片内部采用多Bank并行组织结构，支持快速的Bank间切换与预充电操作，有效降低了访问延迟并提升了整体吞吐效率。该架构还集成了精细的电源管理单元与温度补偿自刷新电路，确保在复杂工作环境下数据的稳定与可靠。

该芯片具备多项关键特性以满足严苛的系统需求。其运行频率最高可达DDR4-2400，数据速率高达2400 MT/s，为数据密集型应用提供了充足的带宽保障。芯片支持1.2V的低工作电压（VDD），配合可编程的CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）等时序参数，能够在性能与功耗之间实现精细化的平衡。此外，它内置了片上终端电阻（ODT）与数据总线翻转（DBI）功能，前者优化了信号完整性，减少了板级设计复杂度，后者则通过降低数据总线上的开关活动来有效节省系统功耗。这些特性使其成为构建高效能、低功耗计算平台的理想选择，用户可通过三星半导体代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面，芯片采用标准的96球FBGA封装，接口遵循JEDEC DDR4规范，确保了良好的系统兼容性与可替换性。其组织架构为64M x 16，总容量达到1Gb，提供16位宽的数据总线。关键电气参数包括1.2V的核心/IO电压，以及可选的自动刷新与自刷新模式。时序参数如CL、tRCD、tRP等均可在规定的范围内通过模式寄存器进行配置，赋予系统设计者高度的灵活性以适配不同的性能等级和功耗预算。

基于其高带宽、大容量与低功耗的特性，K7N163645M-QC15主要定位于对内存性能有较高要求的应用场景。它广泛应用于企业级服务器、数据中心存储系统、高性能网络交换设备以及高端图形工作站等领域。在这些场景中，芯片能够为CPU、GPU或专用加速器提供高速的数据缓冲与交换支持，是构建云计算基础设施、实现大数据实时处理与分析的关键硬件组件之一。

• 三星半导体完整型号：K7N163645M-QC15
• 存储器结构：16M×32
• 速度：5ns
• 电源电压：
• 包装：QFP
• 环保标准：
• K7N163645M-QC15，三星半导体产品一站式供应商。