

K4X51163PI-FGC3是一款由三星半导体设计生产的512Mb容量、16位I/O宽度的DDR SDRAM存储芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,内部核心电压为1.8V,接口电压(VDDQ)同样为1.8V±0.1V,属于标准的DDR1代内存规格。其内部架构基于经典的4 Bank设计,每个Bank由行列地址矩阵构成,通过预取(Prefetch)2n架构实现每个时钟周期在上升沿和下降沿各传输一次数据,从而在相同的核心频率下实现双倍于SDR SDRAM的数据带宽。
该芯片集成了多项旨在提升系统性能与可靠性的功能特性。它支持可编程的CAS延迟(CL=2, 2.5, 3)、突发长度(BL=2, 4, 8)以及突发类型(顺序或交错),为系统设计提供了灵活的时序优化空间。为了确保信号完整性并简化板级设计,芯片采用了差分时钟输入(CK和/CK)与数据选通(DQS)技术。其内置的延迟锁定环(DLL)能够精确对齐DQ和DQS信号,有效补偿时钟偏移,保障高速数据传输的时序裕量。此外,芯片支持自动预充电和自刷新模式,有助于简化控制器设计并降低待机功耗。
在接口与关键参数方面,K4X51163PI-FGC3采用54针TSOP-II封装,这是一种成熟、可靠且成本效益高的封装形式。其工作频率覆盖133MHz(对应DDR266)至166MHz(对应DDR333)的主流速率范围,峰值数据传输率最高可达333MT/s。所有地址和控制信号均在时钟上升沿被采样,命令集包括激活、读、写、预充电、刷新和模式寄存器设置等标准操作。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过专业的三星芯片代理获取该型号芯片,以确保供应链的顺畅与设计资源的可获得性。
凭借其平衡的性能、容量与可靠性,该芯片主要面向对成本敏感且需要中等带宽和存储密度的嵌入式系统与消费电子领域。典型应用场景包括但不限于网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制计算机、打印机、数字电视、机顶盒以及各类需要板载内存的嵌入式主板。在这些应用中,它能够为处理器、ASIC或FPGA提供稳定可靠的数据缓存和工作存储空间,是构建成熟、稳健的电子系统的主流存储解决方案之一。



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