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K4X51163PE-FGC3是一款基于DDR2 SDRAM技术的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的90nm或更精细的工艺制程制造，内部核心架构由多个存储阵列（Bank）组成，通常包含4个或8个Bank以实现高效的并行访问。其核心工作电压（VDD/VDDQ）为1.8V，显著低于前代DDR标准，有效降低了系统整体功耗和发热。芯片内部集成了延迟锁定环（DLL）电路，用于精确对齐输入时钟与数据输出，确保在高速运行下的信号完整性。

该器件支持双倍数据速率（DDR）传输，意味着在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现翻倍的有效数据带宽。其预取架构为4n，即每个内部时钟周期从存储阵列预取4位数据，通过接口并行化后对外传输。它支持可编程的突发长度（BL）、列地址选通潜伏期（CAS Latency）以及一系列时序参数，为系统设计者提供了灵活性以优化性能与稳定性。其片上终结（ODT）功能可以有效抑制高速信号在传输线上的反射，简化PCB设计并提升信号质量。

在接口与关键参数方面，K4X51163PE-FGC3的组织结构通常为512Mbit（64M x 8位），提供标准的SSTL_18（1.8V Stub Series Terminated Logic）接口。它支持差分时钟输入（CK和/CK）以提高抗噪性，命令和地址信号在时钟上升沿被采样。典型的工作频率范围覆盖400MHz至800MHz（对应数据传输率800Mbps至1600Mbps）。其工作温度范围符合商业级（0°C to 95°C）或工业级标准，后缀“FGC3”可能标识了特定的速度等级、封装形式（如常见的FBGA）或生产批次。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的三星芯片代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其平衡的性能、功耗与成本，该芯片广泛应用于对内存带宽和容量有基础要求且成本敏感的各种电子设备中。典型应用场景包括但不限于台式电脑和笔记本电脑的辅助内存、工业控制计算机的主内存、网络通信设备（如路由器、交换机）的缓存、以及各类嵌入式系统，如数字电视、打印机和安防监控设备。在这些场景中，它能够为处理器提供可靠的数据缓冲和存储空间，保障系统流畅运行。

• 三星芯片标准型号：K4X51163PE-FGC3
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4X51163PE-FGC3，三星半导体产品一站式供应商。