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K4U2E3S4AA-GUCL 零件图片(仅供参考)

K4U2E3S4AA-GUCL
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K4U2E3S4AA-GUCL 规格参数

作为三星电子LPDDR4X内存产品线中的一员,K4U2E3S4AA-GUCL是一款采用先进工艺和低功耗设计的移动双倍数据率同步动态随机存取存储器。该芯片基于三星成熟的20纳米级以下制程技术构建,其核心架构集成了高密度的存储单元阵列、精密的时序控制逻辑以及高效的数据路径管理单元,旨在为移动计算平台提供高带宽、低延迟的数据访问能力,同时将功耗控制在极低水平。

该器件的一个显著功能特点是其LPDDR4X接口标准,它在LPDDR4的基础上进一步降低了I/O电压,从而实现了更优的能效比。其工作电压低至VDD2 = 1.1V, VDDQ = 0.6V,显著减少了运行和待机状态下的功耗,这对于电池续航至关重要的移动设备而言是至关重要的特性。芯片内部采用了Bank Group架构,支持多个Bank Group的并行操作,有效提升了内部数据吞吐效率,减少了访问冲突。此外,它支持诸如写数据掩码(Write Mask)可编程的CAS延迟以及片上温度传感器驱动的自刷新率调整(SRT/ASR)等高级功能,增强了系统设计的灵活性和数据完整性。

在接口与关键参数方面,K4U2E3S4AA-GUCL提供了高速的数据传输速率,其时钟频率和数据速率符合LPDDR4X规范的高端范围,能够满足应用处理器对内存带宽的苛刻需求。其封装形式为适用于空间受限移动设备的紧凑型FBGA,确保了良好的信号完整性和散热性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过专业的三星芯片代理商获取该产品,并获得相关的设计参考和供货保障。

该芯片典型的应用场景集中于高性能、低功耗的移动智能终端。它是高端智能手机、平板电脑、轻薄型笔记本电脑以及新兴的增强现实(AR)/虚拟现实(VR)设备中应用处理器的理想内存搭档。此外,在需要长时间续航的物联网(IoT)边缘设备、便携式医疗电子以及车载信息娱乐系统中,其优异的能效特性也能发挥重要作用,为设备提供流畅的多任务处理能力和响应速度,同时最大化电池使用时间。

  • 三星芯片型号:K4U2E3S4AA-GUCL
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:12Gb
  • 架构:x32
  • 速率:4266 Mbps
  • 工作电压:1.8 / 1.1 / 0.6 V
  • 工作温度:-40 ~ 125 °C
  • 封装:200FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • K4U2E3S4AA-GUCL,三星半导体产品一站式供应商。
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K4U2E3S4AA-GUCL 基本参数:

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