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三星电子推出的K4T56163QI-ZCCC是一款基于DDR2 SDRAM技术的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的90nm工艺制程，内部架构由多个Bank、行与列地址构成的存储阵列组成，并集成了延迟锁定环（DLL）以确保数据在高速传输下的时序精度与稳定性。其核心设计旨在满足对带宽和响应速度有严苛要求的现代计算系统，通过双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效提升了数据吞吐效率。

该器件具备512Mb的存储容量，组织架构为16M words × 4 Banks × 8 I/Os，工作电压为标准的1.8V，显著降低了动态与静态功耗。它支持最高400MHz（对应数据传输率800Mbps/pin）的时钟频率，并内建了可编程的CAS延迟、预充电时间及突发长度等参数，为系统设计提供了高度的灵活性。其接口采用SSTL_18电平标准，确保了与各类控制器在高速下的信号完整性。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过专业的三星芯片代理获取该产品及完整的技术支持。

在电气参数方面，K4T56163QI-ZCCC提供了工业级的工作温度范围选项，并具备自动刷新与自刷新模式以维持数据完整性。其封装形式为常见的FBGA，优化了空间布局与散热性能。这些特性使其能够稳定应对密集的数据读写操作，并适应长时间连续运行的工业环境。

凭借其平衡的性能与功耗表现，该芯片广泛应用于对内存带宽和容量有持续增长需求的领域。它是网络通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式工控系统、数字电视、机顶盒以及各类消费电子产品的理想选择，为这些设备的多任务处理、数据缓冲和高速运算提供了可靠的内存解决方案。

• 三星芯片标准型号：K4T56163QI-ZCCC
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4T56163QI-ZCCC，三星半导体产品一站式供应商。