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K4T51163QI-HCE6是一款基于DDR2 SDRAM技术的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该器件采用先进的90nm或更精细的工艺节点制造，内部架构由多个Bank组成，支持Bank Interleave操作以提升数据吞吐效率。其核心设计采用了双倍数据速率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的时钟频率下实现了两倍于传统SDRAM的数据带宽。预取架构与4n预取深度相结合，确保了高速数据传输的稳定性和连续性，有效满足了现代计算系统对内存子系统日益增长的性能需求。

该芯片具备一系列旨在优化系统性能与可靠性的功能特性。片上终结（ODT）功能可以显著改善信号完整性，减少板级设计的复杂性并降低系统成本。Posted CAS与附加延迟（AL）的引入，优化了命令与数据总线的调度效率，减少了总线冲突和空闲周期。其工作电压为1.8V ±0.1V，相比前代DDR技术有效降低了动态和静态功耗。此外，芯片内置了自刷新（Self Refresh）和温度补偿自刷新（TCSR）功能，能够在保持数据的同时根据环境温度动态调整刷新速率，进一步优化了功耗管理，尤其适用于对能效有严苛要求的移动或嵌入式平台。

在接口与关键参数方面，K4T51163QI-HCE6提供标准的LVTTL接口，兼容JEDEC制定的DDR2 SDRAM规范。其组织架构通常为512Mb容量（例如64M words × 8 bits），采用常见的FBGA封装，确保了良好的电气性能与散热特性。该器件支持多种操作模式，包括突发读写、自动预充电和全页突发等。其时序参数，如CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）和行预充电时间（tRP），均经过精心设计，以在特定频率下（例如800Mbps数据速率）实现性能与稳定性的最佳平衡。用户可通过三星芯片中国代理获取完整的数据手册以获取精确的交流与直流特性参数。

凭借其平衡的性能、功耗与可靠性，该芯片广泛应用于需要稳定大容量内存的各类电子设备中。它是台式电脑、笔记本电脑、入门级服务器和工作站内存模组（DIMM）的核心组件。在工业控制、网络通信设备（如路由器、交换机）以及高性能嵌入式系统中，它也能提供可靠的数据存储支持。此外，在一些对成本敏感且需要一定内存带宽的消费电子产品和数字电视等应用中，该器件也是一个经市场验证的成熟选择。

• 三星芯片标准型号：K4T51163QI-HCE6
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4T51163QI-HCE6，三星半导体产品一站式供应商。