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K4T51163QE-ZID5是一款基于DDR2 SDRAM技术的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的90nm制程工艺，内部架构由多个Bank、行和列地址构成的存储阵列组成，并集成了精密的时序控制与数据路径管理单元，确保了高速数据访问的稳定性和可靠性。其核心设计旨在通过双倍数据速率传输机制，在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输，从而在相同的时钟频率下实现理论上的两倍带宽，有效提升了系统整体数据吞吐能力。

该器件具备一系列突出的功能特性。其工作电压为1.8V，显著低于前代DDR产品，带来了更优的功耗表现，这对于功耗敏感型应用至关重要。它支持4位预取架构，内部数据总线宽度是外部I/O接口的四倍，优化了内部核心操作频率与外部接口速度的匹配。芯片内置了片内终结电阻（ODT）功能，可以有效抑制高速信号在传输线上的反射，简化了主板设计并提升了信号完整性。此外，它还提供了可编程的CAS延迟、附加延迟以及突发长度等参数，为系统设计者提供了灵活的时序配置空间，以适应不同性能与延迟要求的应用场景。

在接口与关键参数方面，K4T51163QE-ZID5采用标准的DDR2接口规范，其组织架构为512Mbit容量（64M words × 8 bits），提供了高速的差分时钟输入（CK和/CK）以及数据选通信号（DQS）。它支持最高达800Mbps的数据传输速率，对应的时钟频率为400MHz。严格的时序参数，如tRCD、tRP、tRAS等，定义了从行激活到读写操作完成的一系列关键时间窗口，是保证芯片正确工作的基础。这些参数共同决定了内存子系统的响应速度和稳定性，三星芯片中国代理能够为本地客户提供详尽的技术参数支持和应用指导。

凭借其平衡的性能、功耗与成本优势，该芯片广泛应用于对内存带宽和容量有持续增长需求的各类电子系统中。典型应用场景包括但不限于台式电脑、笔记本电脑、入门级服务器和工作站的主内存，以及需要中等容量、可靠存储缓冲的网络设备、打印机、数字电视和机顶盒等消费电子与工业控制产品。其稳定的性能和成熟的生态系统使其成为构建高效能计算平台和嵌入式系统的可靠存储解决方案之一。

• 三星芯片标准型号：K4T51163QE-ZID5
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4T51163QE-ZID5，三星半导体产品一站式供应商。