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K4T51163QC-ZCD5 零件图片(仅供参考)

K4T51163QC-ZCD5
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K4T51163QC-ZCD5 规格参数

三星电子推出的K4T51163QC-ZCD5是一款基于DDR2 SDRAM技术的高性能、低功耗动态随机存取存储器芯片。该芯片采用先进的90nm或更精细的制程工艺制造,其核心架构围绕高速同步接口与内部多Bank阵列设计展开。内部组织为4个Bank,每个Bank包含独立的行/列地址解码器和感应放大器阵列,这种并行结构有效提升了数据访问的并发处理能力,并通过预取(Prefetch)架构优化了数据吞吐效率。

该器件的主要功能特性体现在其高速数据传输能力优异的功耗管理上。它支持最高达800Mbps的数据传输速率,时钟频率为400MHz,能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输,实现双倍数据速率。为了满足现代电子系统对能效的严苛要求,芯片集成了多种低功耗模式,包括待机(Standby)、自刷新(Self-Refresh)和掉电(Power-Down)模式,并支持可编程的片内终端电阻(ODT),以简化板级设计并降低信号完整性问题带来的功耗。其工作电压为核心电压1.8V±0.1V,I/O电压与之兼容,确保了与主流逻辑器件的无缝对接。如需获取该产品的技术支持和供应保障,可以咨询专业的三星半导体代理

在接口与关键参数方面,K4T51163QC-ZCD5采用标准的66-ball FBGA封装,具有良好的散热性和空间利用率。其容量为512Mb,组织格式为32M x 16位,提供充足的存储空间和适合宽数据总线应用的位宽。时序参数如CAS延迟(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)、行预充电时间(tRP)等均经过精心优化,以满足高速系统的时序余量要求。芯片内置的延迟锁定环(DLL)确保了数据输出与时钟信号的严格同步,提升了在高速运行下的稳定性。

凭借其平衡的性能、功耗和可靠性,这款芯片非常适合应用于对内存带宽和能效有较高要求的领域。典型应用场景包括企业级与消费级的台式电脑、笔记本电脑、工作站的主内存模组,以及各类网络通信设备、工业控制计算机和需要大容量缓存的高清视频处理设备。其稳定的表现使其成为构建高效、可靠计算与存储平台的基础元件之一。

  • 三星芯片标准型号:K4T51163QC-ZCD5
  • 存储容量:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4T51163QC-ZCD5,三星半导体产品一站式供应商。
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K4T51163QC-ZCD5 基本参数:

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