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三星电子推出的K4T51163QC-ZCCC是一款面向高性能计算与图形处理领域的高密度、高速动态随机存取存储器。该芯片采用先进的DDR2 SDRAM架构，其内部组织为512Mb容量，配置为8M words × 16 bits × 4 banks，这种结构设计在提供大容量数据存储的同时，通过多bank操作有效提升了数据访问的并行度与效率，减少了访问冲突和延迟。

该器件的工作电压为核心1.8V，I/O接口同样为1.8V，符合JEDEC标准的DDR2-800规范，其数据传输速率最高可达800Mbps/pin。为了实现高速稳定运行，它集成了片内终结电阻（ODT）与可编程CAS延迟等关键特性。ODT技术通过在芯片内部集成匹配电阻，显著改善了信号完整性，尤其是在高频、多负载的模组环境下，能有效抑制信号反射，确保数据传输的眼图质量。可编程的CAS延迟（CL）、附加延迟（AL）与写入延迟（CWL）则为系统设计者提供了灵活的时序调优空间，以适配不同处理器平台的内存控制器，实现系统性能与稳定性的最佳平衡。

在接口与电气参数方面，K4T51163QC-ZCCC采用60-ball FBGA封装，外形紧凑，有利于高密度PCB布局。它支持差分数据选通信号（DQS, DQS#），实现了源同步数据传输，确保在高速时钟下数据采样的准确性。其预取架构为4n，突发长度可编程为4或8，并支持自动预充电与自刷新模式。对于需要可靠供应链与技术支持的系统集成商而言，通过专业的三星芯片代理商进行采购，能够确保获得原装正品以及相应的应用设计支持。

基于其高带宽与稳定的性能表现，这款芯片主要应用于对内存带宽有苛刻要求的场景。它是台式电脑、入门级工作站、高性能游戏显卡以及各类网络通信设备的理想选择，能够为CPU和GPU提供充足的数据吞吐能力，保障复杂图形渲染、大型数据处理和多任务计算的流畅进行。其工业级的工作温度范围也使其能够适应一些对环境要求更为严苛的嵌入式应用。

• 三星半导体完整型号：K4T51163QC-ZCCC
• 存储器结构：32Mx16
• 速度：0.6ns
• 电源电压：1.8V
• 包装：FBGA
• 环保标准：
• K4T51163QC-ZCCC，三星半导体产品一站式供应商。