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三星电子推出的K4T1G164QD-ZCE6是一款采用先进工艺制造的DDR2 SDRAM芯片，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该器件内部采用4 Bank架构组织，存储单元阵列经过优化，实现了高速数据访问与稳定的信号完整性。其工作时钟在CK与/CK差分对的驱动下，于每个时钟周期的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效将数据传输速率提升至传统SDRAM的两倍。

该芯片具备一系列突出的功能特性，旨在满足高性能系统的需求。片上终结（ODT）功能有效减少了信号在传输线上的反射，简化了PCB设计并提升了信号质量。其Posted CAS与附加延迟（AL）设计优化了命令与数据总线的利用率，减少了总线冲突，从而提升了整体内存控制效率。此外，芯片内置的温度补偿自刷新（TCSR）与部分阵列自刷新（PASR）功能，能够在不同温度环境下智能调整刷新速率，并在待机时仅刷新部分存储阵列，显著降低了功耗，这对于电池供电或对能效有严格要求的应用至关重要。

在接口与关键参数方面，K4T1G164QD-ZCE6采用标准的1.8V ±0.1V核心电压（VDD）与1.8V ±0.1V SSTL_18接口电压（VDDQ），确保了与主流平台的兼容性。其组织架构为64M words × 16 bits × 4 Banks，总容量达到1Gb（128MB）。该器件支持DDR2-800速度等级，核心频率为200MHz，在双倍数据速率下可实现每秒800M次的数据传输，对应数据传输速率高达6400MB/s。其延迟参数（如CL、tRCD、tRP）经过精心调校，在性能与稳定性之间取得了良好平衡。对于需要可靠供应链的客户，可以通过专业的三星芯片代理获取该产品及完整的技术支持。

凭借其高性能、低功耗与高可靠性的特点，此芯片广泛应用于需要大容量、高速数据缓冲的领域。它是台式电脑、服务器、工作站等计算设备内存模块的核心组件，同时也常见于高性能网络设备（如路由器、交换机）、工业控制计算机、高端图形处理平台以及需要复杂数据处理的嵌入式系统中。其稳定的表现使其成为构建稳健数据处理基础架构的理想选择。

• 三星半导体完整型号：K4T1G164QD-ZCE6
• 存储器结构：64Mx16
• 速度：0.45ns
• 电源电压：1.8V
• 包装：DIMM
• 环保标准：
• K4T1G164QD-ZCE6，三星半导体产品一站式供应商。