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三星电子推出的K4T1G164QAZCD5是一款采用先进工艺制造的DDR2 SDRAM芯片，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该器件内部组织为1Gb容量，具体配置为128M字×16位，通过4个内部Bank的并行操作来提升数据吞吐效率。其工作时钟频率可达400MHz，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现高达800Mbps/pin的有效数据传输速率，显著提升了内存子系统的带宽性能。

该芯片集成了多项旨在提升稳定性和能效比的功能特性。它采用了片内终结（ODT）技术，可以有效抑制信号在传输线上的反射，简化主板设计并提升信号完整性。同时，其Posted CAS与附加延迟（AL）功能优化了命令与数据总线的调度，减少了总线冲突，提升了命令效率。为了满足不同应用场景的功耗需求，K4T1G164QAZCD5支持多种低功耗模式，包括预充电省电模式、活动省电模式和自刷新模式，在非活跃时段能大幅降低能耗。

在接口与关键参数方面，该芯片采用1.8V±0.1V的核心电压（VDD）和I/O电压（VDDQ），降低了整体功耗并减少了发热。其接口符合JEDEC标准的SSTL_18逻辑电平。时序参数如CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）、行预充电时间（tRP）等均经过精心优化，在保证高速运行的同时确保了系统的时序裕量。其封装形式为常见的84-ball FBGA，具有良好的电气性能和散热特性，便于在各类高密度PCB板上进行布局与焊接。

凭借其高带宽、低功耗和可靠的信号完整性，K4T1G164QAZCD5非常适合应用于对内存性能和能效有较高要求的领域。它常见于企业级网络设备、高性能计算平台、工业控制计算机以及需要大量数据缓冲的通信基础设施中。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，可以通过正规的三星芯片代理商获取该产品，以确保元器件的原装正品性和后续的设计支持服务。

• 三星半导体完整型号：K4T1G164QAZCD5
• 存储器结构：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：符合RoHS标准
• K4T1G164QAZCD5，三星半导体产品一站式供应商。