

K4S561638J-LCB3是一款由三星电子设计和制造的高性能、高密度同步动态随机存取存储器芯片。该器件采用先进的CMOS工艺技术,内部架构基于4M x 16位 x 4 Bank的组织结构,总存储容量达到256Mbit。其核心设计旨在提供高速、可靠的数据读写操作,通过同步接口与系统时钟严格对齐,确保在高速运行下的数据完整性。内部Bank的交叉访问机制有效减少了访问延迟,提升了整体数据吞吐效率,使其成为对内存带宽有较高要求应用的理想选择。
该芯片的功能特性突出表现在其工作速度与低功耗的平衡上。它支持高达143MHz的时钟频率,对应最快的存取时间。芯片集成了自动预充电和突发读写功能,能够以可编程的突发长度连续传输数据,极大优化了顺序数据访问的效率。同时,它具备全部Bank预充电和自刷新模式,在非活动期间能有效管理功耗,延长便携式设备的电池寿命。其工作电压为核心电压2.5V±0.2V,输入/输出接口电压为2.5V±0.2V (LVTTL兼容),这种设计兼顾了性能与功耗控制。
在接口与关键参数方面,K4S561638J-LCB3采用66引脚TSOP-II封装,接口类型为同步DRAM标准。它支持可编程的CAS延迟、突发类型和突发长度,为系统设计提供了灵活的配置选项。其操作模式通过加载模式寄存器进行设置,允许工程师根据具体的系统时序要求进行精细调优。稳定的电气特性与严格的时序规范,确保了其在复杂电磁环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过专业的三星芯片代理获取该器件及相关设计资源。
基于其高密度、同步高速访问及相对较低的功耗特性,K4S561638J-LCB3广泛应用于各类需要较大缓存或工作内存的嵌入式系统与数字设备中。典型应用场景包括但不限于网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制计算机、高端打印机以及部分消费类电子产品的主控模块。在这些领域,它能够为处理器提供充足且快速的数据缓冲空间,保障系统流畅运行和处理复杂任务的能力,是构建稳定、高效硬件平台的关键组件之一。



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