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K4S560832H-UC75000 零件图片(仅供参考)

K4S560832H-UC75000
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K4S560832H-UC75000 规格参数

作为一款经典的同步动态随机存取存储器,K4S560832H-UC75000采用了成熟的4M x 16位 x 4 Bank架构,总存储容量达到256Mbit。该芯片基于双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,从而在相同的时钟频率下实现了两倍于传统SDRAM的数据带宽。其内部核心电压为2.5V,而输入/输出接口电压为2.5V,这种设计有助于在保证核心稳定运行的同时,实现与低电压逻辑器件的直接接口,简化了系统电源设计。

该器件集成了多项旨在提升系统性能和可靠性的功能。它支持可编程的突发长度、突发类型以及CAS潜伏期,为系统设计者提供了灵活的时序配置选项,以优化不同应用场景下的性能。芯片内部配备了自动预充电和自刷新模式,前者可以在突发读写操作结束后自动关闭当前行,减少命令开销;后者则能在待机状态下周期性地刷新存储单元,保持数据完整性,显著降低整体功耗。对于需要稳定供应的客户,可以通过专业的三星芯片代理商获取原装正品及技术支持。

在接口与关键参数方面,K4S560832H-UC75000运行在133MHz的时钟频率下,其数据传输速率达到266MT/s,能够满足早期中高端应用对内存带宽的需求。它采用66针TSOP-II封装,这是一种标准封装形式,具有良好的散热性和焊接可靠性。芯片的存取时间等重要时序参数均经过严格测试,确保在工业级温度范围内(通常为0°C至70°C)稳定工作。其操作遵循JEDEC制定的标准DDR SDRAM规范,确保了与各类支持该规范的控制器的良好兼容性。

基于其平衡的性能与容量,K4S560832H-UC75000曾广泛应用于千禧年初期的各类电子设备中。它是当时台式电脑、图形工作站、网络服务器以及高性能打印机内存模块的核心组件,为这些设备提供了必需的数据缓存空间。此外,在一些对成本和可靠性有特定要求的工业控制设备、通信基础设施以及专业的测试测量仪器中,也能见到这款经典芯片的身影,其稳定的表现赢得了市场的长期认可。

  • 三星半导体完整型号:K4S560832H-UC75000
  • 存储器结构:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4S560832H-UC75000,三星半导体产品一站式供应商。
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K4S560832H-UC75000 基本参数:

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