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K4S560832H-UC75 零件图片(仅供参考)

K4S560832H-UC75
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K4S560832H-UC75 规格参数

K4S560832H-UC75是一款由三星半导体设计生产的高性能、高密度同步动态随机存取存储器芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构基于双存储体设计,内部集成高速同步接口控制器、行列地址缓冲器、刷新计数器以及数据输入/输出寄存器。这种架构允许芯片在单一时钟周期内完成从地址输入到数据预取的全过程,通过流水线操作和突发传输模式,有效提升了数据吞吐效率,降低了系统访问延迟。

该器件的主要功能特性体现在其高速同步操作能力上。它支持全速运行的突发读写操作,时钟频率可达133MHz,并具备可编程的突发长度与突发类型。芯片内部集成了自刷新和自动刷新模式,以保障存储数据的完整性,同时提供了低功耗的待机和掉电模式,有助于降低系统整体能耗。其工作电压为核心2.5V,I/O接口为3.3V LVTTL电平,兼容主流逻辑电平标准。对于需要稳定可靠存储方案的设计,通过专业的三星半导体代理获取原装正品是确保其性能与可靠性的关键。

在接口与关键参数方面,K4S560832H-UC75组织为4M words × 16 bits × 4 banks,总容量达到256Mbit。它采用66引脚TSOP-II封装,接口类型为同步接口,所有操作均在系统时钟上升沿触发,命令、地址和数据总线高度复用,简化了PCB布局与走线。其存取时间在额定频率与电压下表现优异,并具备可选的CAS潜伏期,允许系统设计在速度与稳定性之间进行优化权衡。

凭借其高带宽、大容量和可靠的性能,K4S560832H-UC75非常适合应用于对数据吞吐率和存储密度有较高要求的嵌入式系统与消费电子领域。典型应用场景包括高性能网络路由器与交换机、数字电视与机顶盒、激光打印机、工业控制计算机以及各类需要大容量帧缓冲或数据缓存的多媒体处理设备。在这些应用中,它能够为处理器提供高效的数据缓冲支持,确保系统流畅运行。

  • 三星半导体完整型号:K4S560832H-UC75
  • 存储器结构:32Mx8
  • 速度:6|5.4ns
  • 电源电压:3.3V
  • 包装:TSOPⅡ
  • 环保标准:符合RoHS标准
  • K4S560832H-UC75,三星半导体产品一站式供应商。
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K4S560832H-UC75 基本参数:

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