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K4F8E304HB-MGCJ 零件图片（仅供参考）

K4F8E304HB-MGCJ
三星半导体 订单到达，马上发货

K4F8E304HB-MGCJ 规格参数

  • 型号:K4F8E304HB-MGCJ
  • 品牌:Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung,三星半导体芯片)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:-
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1866 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-TFBGA
  • 供应商器件封装:-
  • K4F8E304HB-MGCJ，三星半导体产品一站式供应商。
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K4F8E304HB-MGCJ 基本参数：

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