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K4F6E3S4HM-GHCL 零件图片(仅供参考)

K4F6E3S4HM-GHCL
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K4F6E3S4HM-GHCL 规格参数

作为三星半导体LPDDR4X内存产品线中的一员,K4F6E3S4HM-GHCL是一款面向高性能、低功耗移动计算平台设计的动态随机存取存储器。该芯片采用了先进的1x纳米级制程工艺,在单颗封装内集成了高密度的存储单元,其核心架构基于双倍数据速率第四代低功耗同步动态随机存取存储器技术,并进一步优化至LPDDR4X标准。这一演进不仅延续了LPDDR4的高速数据传输能力,更关键的是通过降低I/O接口电压,显著改善了功耗表现,使其成为对能效比有严苛要求的设备的理想选择。

该器件具备出色的功能特性。其运行时钟频率可达较高水平,支持在双通道配置下实现聚合数据速率,从而为处理器提供充沛的内存带宽,有效应对多任务处理、高分辨率图形渲染及即时AI运算等场景下的数据吞吐需求。低功耗是其核心优势之一,通过采用LVSTL(低电压摆幅终端逻辑)I/O和多项深度节能状态,如深度掉电与部分阵列自刷新,能够在待机和非活跃时段将功耗降至极低水平。此外,它支持片上温度传感器与可编程刷新管理功能,增强了系统在复杂热环境下的可靠性与稳定性。

在接口与关键参数方面,它采用标准的FBGA封装,接口电压VDDQ低至0.6V,这相比前代产品是一个显著的降低。其组织架构通常为多Bank设计,支持自动预充电与突发读写操作。时序参数如CL、tRCD、tRP等均经过优化,在保证高速存取的同时维持了信号的完整性。对于需要可靠供应链与技术支持的设计团队,可以通过专业的三星半导体代理获取该产品的完整规格书、样品以及设计支持服务。

基于其高性能与超低功耗的平衡,K4F6E3S4HM-GHCL主要瞄准高端智能手机、平板电脑、轻薄型笔记本电脑以及新兴的增强现实/虚拟现实设备等应用场景。它同样适用于需要长时间续航的便携式物联网网关、高端无人机飞控系统以及车载信息娱乐系统中,为这些设备提供流畅的用户体验和持久的电池寿命,是驱动下一代移动智能终端的关键元器件之一。

  • 三星芯片型号:K4F6E3S4HM-GHCL
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:16Gb
  • 架构:x32
  • 速率:3733 Mbps
  • 工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作温度:-40 ~ 105 °C
  • 封装:200FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • K4F6E3S4HM-GHCL,三星半导体产品一站式供应商。
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K4F6E3S4HM-GHCL 基本参数:

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