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K4F171611D-TC50 零件图片(仅供参考)

K4F171611D-TC50
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K4F171611D-TC50 规格参数

K4F171611D-TC50是一款基于DDR SDRAM技术的高性能、高密度动态随机存取存储器芯片。其内部采用经典的同步动态随机存取存储器架构,核心由一个存储单元阵列、行列地址解码器、灵敏放大器、数据输入/输出缓冲器以及刷新控制逻辑等模块构成。该架构支持在时钟上升沿进行所有操作,确保了与系统控制器的高速、同步数据交换。其存储单元以电容形式存储数据,并通过周期性的刷新操作来维持数据完整性,这是DRAM技术的典型特征。

该芯片的核心功能特性在于其高速的数据吞吐能力和相对较低的功耗。TC50的速度等级表明其时钟频率可达500MHz(等效数据传输率为1000MT/s),这使其能够满足对带宽有较高要求的应用场景。它采用双倍数据速率(DDR)技术,意味着在每个时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据,从而在不提高核心时钟频率的情况下,有效倍增了数据带宽。此外,芯片内部通常集成有延迟锁定环(DLL)电路,用于精确对齐数据输出与系统时钟,减少时钟偏移,提升信号完整性。对于需要稳定供应的客户,可以通过专业的三星芯片代理商获取此型号芯片及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,K4F171611D-TC50采用并行数据接口,数据位宽通常为16位,组成一个存储体(Bank)。其工作电压为核心电压VDD和I/O电压VDDQ,符合DDR内存的标准电压规范,有助于降低整体功耗。芯片的封装形式为行业通用的TSOP封装,具有良好的焊接可靠性和散热性能。关键的时序参数,如CAS延迟、行预充电时间等,都经过优化,以在给定的速度等级下实现稳定的性能。这些参数共同决定了芯片在特定频率下的响应速度和系统兼容性。

基于其高带宽和较大存储容量的特点,K4F171611D-TC50主要面向需要大量数据缓冲和高速处理的嵌入式系统与消费电子领域。典型的应用场景包括高性能网络路由器、交换机的数据包缓冲存储器,数字电视、机顶盒等视频处理设备中的帧缓存,以及工业控制设备、通信基站中需要可靠运行的内存模块。它能够有效缓解处理器与主存之间的速度差异,提升系统在处理流媒体数据、复杂算法运算时的整体效率。

  • 三星芯片标准型号:K4F171611D-TC50
  • 存储容量:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4F171611D-TC50,三星半导体产品一站式供应商。
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K4F171611D-TC50 基本参数:

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