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K4F170411D-BC60 零件图片(仅供参考)

K4F170411D-BC60
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K4F170411D-BC60 规格参数

作为三星电子面向高性能计算与存储应用推出的DDR4 SDRAM产品,K4F170411D-BC60采用了先进的1x纳米级制程工艺,其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该芯片内部集成了复杂的存储阵列、灵敏放大器、行列地址解码器以及高速数据I/O接口,通过精密的时序控制逻辑,实现了在高速时钟沿下的数据稳定读写。其内部Bank分组与预取架构优化了数据访问的并行度与效率,为系统提供了低延迟、高带宽的内存访问能力。

该器件具备一系列突出的功能特性。其工作电压为标准的1.2V,显著降低了动态与静态功耗,符合现代电子设备对能效的严苛要求。支持片上终端电阻(ODT)与可编程CAS延迟(CL),使得系统设计者能够根据主板布局与信号完整性需求,灵活调整终端匹配与访问时序,以优化信号质量并提升系统稳定性。芯片内置的温度传感器与自刷新逻辑,可根据工作环境动态管理刷新速率,在保证数据可靠性的同时,进一步优化功耗表现。

在接口与关键参数方面,K4F170411D-BC60提供x8的数据位宽,单颗容量为4Gb,组织架构为512M words x 8。其标称速度等级为DDR4-2400,对应的工作时钟频率为1200MHz,数据速率可达2400MT/s。该芯片遵循JEDEC标准的DDR4接口规范,采用细间距的BGA封装,确保了在有限空间内实现高密度布板。对于需要可靠供应链与技术支持的系统集成商而言,选择一家资深的三星芯片代理至关重要,它能确保原装正品供应并提供专业的技术选型支持。

基于其高性能与高可靠性的设计,该芯片主要面向对内存带宽和容量有持续增长需求的领域。在数据中心服务器、高性能计算集群、企业级存储阵列以及高端网络通信设备中,它常被用作核心的主内存或缓存。此外,在需要处理大量实时数据的工作站、图形渲染服务器以及某些对功耗和性能有平衡要求的嵌入式系统中,也能见到其广泛应用。其稳定的表现使其成为构建下一代计算基础设施的关键存储组件之一。

  • 三星芯片标准型号:K4F170411D-BC60
  • 存储容量:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4F170411D-BC60,三星半导体产品一站式供应商。
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K4F170411D-BC60 基本参数:

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