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K4E401611D-JC50 零件图片(仅供参考)

K4E401611D-JC50
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K4E401611D-JC50 规格参数

三星电子推出的K4E401611D-JC50是一款采用先进工艺制造的DDR3L SDRAM芯片,专为满足现代高性能、低功耗计算设备的需求而设计。该芯片基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构,其核心采用了精密的内部Bank组织与预取缓冲设计,能够在每个时钟周期内于上升沿和下降沿各传输一次数据,从而有效倍增数据传输带宽,显著提升系统整体内存吞吐效率。

在功能特性方面,该器件集成了多项关键技术以优化性能与功耗。其工作电压低至1.35V(兼容1.5V),相比标准DDR3产品能显著降低动态与待机功耗,尤其适用于对能效有严格要求的移动与嵌入式平台。芯片支持片上终端电阻(ODT)功能,有助于简化主板设计、改善信号完整性并减少反射噪声。同时,其内置的自刷新与温度补偿自刷新(TCSR)机制,能够根据环境温度动态调整刷新速率,在保证数据可靠性的前提下进一步优化功耗表现。

该芯片提供了标准的DDR3L接口,其数据传输速率最高可达1600Mbps(对应时钟频率800MHz)。它采用常见的96-ball FBGA封装,不仅确保了良好的电气性能与信号完整性,也便于在紧凑的空间内进行高密度布局。用户可通过三星芯片中国代理获取完整的技术规格、设计支持与供应链服务。其工作温度范围覆盖商业级与工业级标准,具备出色的环境适应性,时序参数严格遵循JEDEC规范,确保了与主流平台控制器的高度兼容性与稳定可靠的运行表现。

凭借其高性能、低功耗与高可靠性的特点,K4E401611D-JC50非常适合应用于广泛的电子设备领域。它常见于各类笔记本电脑、一体机、迷你PC等个人计算设备中,作为系统主内存。在通信基础设施领域,如网络交换机、路由器及基站设备中,它能提供稳定的数据缓冲支持。此外,在工业自动化控制、数字标牌、高端监控系统以及需要大量实时数据处理的嵌入式应用中,该芯片也是理想的内存解决方案,能够有效平衡性能、功耗与成本之间的关系。

  • 三星半导体完整型号:K4E401611D-JC50
  • 存储器结构:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4E401611D-JC50,三星半导体产品一站式供应商。
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K4E401611D-JC50 基本参数:

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