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三星电子推出的K4E171612D-TC50是一款采用先进工艺制造的DDR3 SDRAM存储芯片，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该芯片内部采用多Bank并行访问设计，通过预取架构和流水线操作，有效提升了数据吞吐效率，其内部时钟频率与I/O接口频率的协调设计，确保了在高速运行下的信号完整性与时序稳定性。

该器件具备高速数据传输能力，其数据速率最高可达800Mbps（对应时钟频率400MHz），能够满足对带宽有严苛要求的应用。它支持自动刷新与自刷新模式，在保证数据动态保存的同时，优化了功耗管理。芯片内置的可编程CAS延迟、写入延迟与突发长度，为系统设计提供了高度的时序配置灵活性，便于与不同性能的主控制器进行匹配。其工作电压为核心电压1.5V，符合DDR3标准，有助于降低整体系统功耗。

在接口与电气参数方面，该芯片采用标准的54-ball FBGA封装，具有紧凑的物理尺寸，利于高密度PCB布局。其接口为并行数据总线，位宽为16位，组织容量为512Mb（32M words × 16 bits），能够构成大容量的存储阵列。关键的时序参数如tRCD、tRP、tRAS等均经过精心优化，保证了可靠的读写操作窗口。稳定的性能表现使其成为通过正规三星半导体代理渠道采购的可靠选择。

凭借其高性能与高可靠性，K4E171612D-TC50非常适合应用于对内存带宽和容量有持续增长需求的领域。在网络通信设备如路由器、交换机的数据包缓冲，工业计算与嵌入式系统的主内存扩展，以及数字电视、机顶盒等消费电子产品的多媒体处理单元中，该芯片都能提供稳定的数据存储与高速访问支持，是构建高效能系统的关键存储组件。

• 三星半导体完整型号：K4E171612D-TC50
• 存储器结构：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4E171612D-TC50，三星半导体产品一站式供应商。