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K4E171612D-T60-TC50 零件图片(仅供参考)

K4E171612D-T60-TC50
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K4E171612D-T60-TC50 规格参数

K4E171612D-T60-TC50是一款由三星电子设计生产的高性能、低功耗动态随机存取存储器芯片。该芯片基于先进的DDR3 SDRAM架构,采用双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,从而在相同的时钟频率下实现了比传统SDRAM高一倍的数据带宽。其内部采用多Bank并行访问结构,通过预取和流水线操作有效提升了数据吞吐效率,并集成了片上终端电阻以优化信号完整性,确保在高速运行下的稳定性和可靠性。

该器件具备1.5V的工作电压,显著降低了系统功耗和发热量,符合现代电子设备对能效的严格要求。它支持自动刷新和自刷新模式,能够在待机或低活动状态下维持数据的同时最大限度地节省电能。芯片内置了可编程的CAS延迟、突发长度和写入恢复时间等时序参数,为系统设计提供了高度的灵活性,便于工程师针对不同的性能与功耗需求进行精细调优。其设计严格遵循JEDEC标准,确保了与主流平台和控制器良好的兼容性。

在接口与参数方面,该芯片提供标准的DDR3接口,数据位宽为16位,内部存储容量为512Mb,组织架构为32M x 16。其工作频率可达600MHz(对应数据速率为1200Mbps),能够满足中高速数据处理应用的需求。封装形式为常见的FBGA,引脚排列紧凑,有利于高密度PCB板设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过三星芯片中国代理获取该型号芯片的正规渠道货源、完整的技术资料以及本土化的应用支持服务。

凭借其平衡的性能、功耗与成本,K4E171612D-T60-TC50非常适合应用于对内存带宽和能效有明确要求的嵌入式系统与消费电子领域。典型应用场景包括但不限于网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制计算机、数字电视、机顶盒以及各类需要中等容量、可靠运行内存的智能终端设备。在这些应用中,它能够作为系统的主内存或缓存,为处理器提供稳定高效的数据交换支持。

  • 三星半导体完整型号:K4E171612D-T60-TC50
  • 存储器结构:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4E171612D-T60-TC50,三星半导体产品一站式供应商。
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K4E171612D-T60-TC50 基本参数:

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