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K4E171611D-J50是一款基于DDR3 SDRAM技术标准设计的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的半导体制造工艺，内部核心架构由多个存储阵列（Bank）组成，通过行列地址复用技术实现高密度数据存储。其内部集成了精密的时序控制逻辑与数据缓冲器，能够在高速时钟信号下同步处理读写操作，确保数据在处理器与内存之间高效、稳定地传输。

该器件具备高速数据传输能力与出色的信号完整性。它支持DDR3标准的关键功能，如片上终端（ODT）以减少信号反射，以及自动预充电与自刷新模式以优化功耗管理。其工作电压降至1.5V，相比前代产品显著降低了动态与静态功耗，同时内置的温度补偿自刷新（TCSR）等功能，使其能在更宽的温度范围内保持稳定的性能表现，适用于对能效与可靠性要求苛刻的环境。

在接口与电气参数方面，它采用标准的双倍数据速率（DDR）接口，数据总线宽度为16位，时钟频率最高可达800MHz（对应数据传输率1600Mbps/pin）。其封装形式为常见的FBGA，提供紧凑的物理尺寸与良好的散热特性。时序参数如CL（CAS延迟）、tRCD、tRP等均经过优化，以平衡速度与稳定性。用户可通过模式寄存器（MRS）灵活配置部分工作参数，以适应不同的系统需求。对于该产品的采购与技术支援，可通过官方授权的三星芯片中国代理渠道获取保障。

凭借其平衡的性能、功耗与可靠性，K4E171611D-J50广泛应用于需要中等容量、高带宽内存解决方案的各类电子设备中。典型应用场景包括但不限于企业级与消费级的网络通信设备（如路由器、交换机）、工业控制计算机、嵌入式系统、数字标牌以及部分台式电脑与笔记本电脑的内存模组。它能够有效满足这些应用对数据吞吐量、系统响应速度及长期运行稳定性的核心要求。

• 三星半导体完整型号：K4E171611D-J50
• 存储器结构：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4E171611D-J50，三星半导体产品一站式供应商。