我们为全球各个行业提供三星半导体 K4E170412C-FL50现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

K4E170412C-FL50是一款基于DDR4 SDRAM技术标准设计的高性能、低功耗内存芯片。其核心架构采用了先进的20纳米级工艺制程，内部集成了容量为4Gb（512M x 8）的存储单元阵列，并配置了8个内部Bank以实现高效的并行数据访问。该芯片内部集成了温度传感器（ODT）和自刷新逻辑，能够在复杂的系统环境中维持稳定的数据读写操作，其双倍数据速率（DDR）架构在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，有效提升了数据传输带宽。

该器件的工作电压为1.2V（VDD/VDDQ），显著低于前代DDR3标准，这直接带来了更低的动态和静态功耗，符合当前电子设备对能效的严格要求。其数据传输速率最高可达2400Mbps（对应时钟频率1200MHz），提供了出色的带宽性能。芯片支持自动预充电、可编程CAS延迟（CL）、突发长度（BL）以及写入电平调整（Write Leveling）等高级功能，确保了与不同主控制器之间的高速信号完整性和时序兼容性。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，可以通过三星芯片代理获取该产品的供货与相关服务。

在接口方面，它采用了标准的96-ball FBGA封装，外形紧凑，利于高密度PCB板设计。其接口信号完全遵循JEDEC DDR4规范，包括差分时钟（CK_t/CK_c）、数据选通（DQS_t/DQS_c）、地址总线、命令总线以及数据总线。关键时序参数如tRCD、tRP、tRAS等均经过优化，以平衡性能与稳定性。芯片的工作温度范围通常涵盖商业级（0°C to 95°C TC）或更宽的范围，以适应不同的应用环境。

凭借其高带宽、低延迟和优异的能效比，K4E170412C-FL50非常适合应用于对内存性能和功耗有较高要求的领域。典型应用场景包括高性能计算服务器、数据中心存储模块、企业级网络设备、高端图形工作站以及需要大容量缓存的高端消费电子产品。其可靠的设计使其能够在持续高负载下稳定运行，是构建现代计算和存储系统的关键基础元件之一。

• 三星芯片标准型号：K4E170412C-FL50
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4E170412C-FL50，三星半导体产品一站式供应商。