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K4E170412C-BC50是一款基于DDR4 SDRAM技术标准设计的高性能、低功耗动态随机存取存储器。该芯片采用先进的1x纳米级工艺制程，内部架构由多个Bank Group、Bank、行与列地址构成的存储阵列组成，并集成了片上终结（ODT）与数据总线翻转（DBI）等关键电路，以实现高速数据访问与信号完整性管理。其核心设计旨在通过提升内部预取架构与数据路径效率，在给定的时钟频率下最大化数据传输带宽，同时通过精细的电源管理状态（如Active Power Down、Self Refresh）显著降低运行与待机功耗，满足现代计算系统对能效的严苛要求。

该器件的主要功能特性体现在其高速的数据传输能力与可靠的运行稳定性上。它支持高达3200 Mbps的数据传输速率，在双倍数据速率（DDR）架构下，于时钟的上升沿与下降沿均可进行数据传输，有效倍增了总线利用率。工作电压低至1.2V（VDD/VDDQ），相较于前代DDR3产品大幅降低了核心与I/O功耗。芯片内置了多项增强可靠性的功能，包括片上ECC（错误校验与纠正）支持、可编程的写电平（Write Leveling）与命令/地址训练（CA Training），以补偿系统级信号时序偏移，确保在高速运行下的数据准确性。其突发长度（BL）可配置，并支持自动刷新与自刷新模式以维持数据存储。

在接口与关键参数方面，该芯片采用标准的288-ball FBGA封装，接口遵循JEDEC DDR4标准规范。其组织架构为4Gb容量（512M x 8），提供x8的数据位宽。时序参数如CL（CAS延迟）、tRCD（RAS到CAS延迟）、tRP（行预充电时间）等均经过优化，以匹配其标称速率。访问模式支持顺序与交错突发，命令总线采用多用途设计，提高了引脚利用率。稳定的性能表现使其能够作为可靠的三星半导体代理渠道中的核心存储解决方案之一，服务于各类高端硬件平台。

基于其高性能与高可靠性的设计，K4E170412C-BC50非常适合应用于对内存带宽和容量有持续增长需求的领域。主要应用场景包括企业级服务器与数据中心、高性能计算（HPC）集群、网络通信设备（如高端路由器、交换机）、以及需要处理大量实时数据的图形工作站和高端台式机。在这些应用中，它能够为CPU、GPU或专用加速器提供稳定、高速的数据缓冲与交换支持，是构建高效能、大规模计算系统的关键基础元器件。

• 三星芯片标准型号：K4E170412C-BC50
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4E170412C-BC50，三星半导体产品一站式供应商。