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K4E160811C-FL50 零件图片(仅供参考)

K4E160811C-FL50
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K4E160811C-FL50 规格参数

作为三星半导体DDR3 SDRAM产品线中的一员,K4E160811C-FL50是一款面向主流计算与嵌入式应用的高性能、低功耗内存解决方案。该芯片采用先进的30nm级制程工艺制造,在单位面积内集成了更高密度的存储单元,实现了性能、功耗与成本之间的出色平衡。其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术,内部采用多Bank设计以支持高效的并行访问,预取架构与流水线操作确保了在高速时钟频率下数据的稳定传输与低延迟响应。

该器件提供了1.5V的标准工作电压,并支持多种节电模式,包括自刷新和局部自刷新,这对于需要长时间待机或对功耗敏感的应用至关重要。其8位预取架构DDR3-1600的速度等级相结合,能够提供高达12.8GB/s的理论带宽(以64位I/O模组计算),有效缓解了系统处理器的数据瓶颈。芯片内置的片上终端电阻写均衡功能,显著提升了信号完整性,简化了高速PCB板级设计。对于寻求可靠供应链与技术支持的用户,通过正规的三星半导体代理进行采购是确保产品正品与获得完整技术文档支持的重要途径。

在接口与关键参数方面,它遵循JEDEC标准的DDR3规范,采用常见的FBGA封装,接口为兼容性广泛的64Mx8位组织方式,总容量为512Mb。其工作时钟频率最高可达800MHz(等效数据传输率为1600MT/s),时序参数如CL、tRCD、tRP等均针对DDR3-1600进行了优化。芯片支持自动刷新和自刷新模式以保持数据,并具备ZQ校准引脚,用于动态调整输出驱动强度和片上终端电阻的精度,以适应不同的工作温度和电压条件,确保在各种环境下信号的稳定可靠。

凭借其均衡的性能与功耗表现,K4E160811C-FL50非常适合应用于对成本与能效均有要求的领域。在消费电子领域,它是智能电视、机顶盒、家庭网关等设备中主内存的理想选择。在工业与嵌入式市场,它常见于工业PC、网络通信设备(如路由器、交换机)、数字标牌以及各类需要可靠数据缓存的控制系统中。此外,在传统的台式电脑、笔记本电脑以及一些入门级服务器的内存模组中,也能看到基于此类芯片的解决方案,为广泛的终端产品提供基础的数据处理动力。

  • 三星芯片标准型号:K4E160811C-FL50
  • 存储容量:
  • 速度:
  • 电源电压:
  • 包装:
  • 环保标准:
  • K4E160811C-FL50,三星半导体产品一站式供应商。
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K4E160811C-FL50 基本参数:

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