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K4E160811C-BC50是一款采用先进工艺节点制造的高性能、低功耗动态随机存取存储器芯片。该芯片基于DDR4 SDRAM架构设计，其内部核心采用Bank Group架构，将存储阵列划分为多个独立的Bank Group，每个Group内又包含多个Bank，这种层级结构有效提升了存储体的并行访问能力，减少了行激活与预充电带来的延迟，从而在保持高数据带宽的同时优化了能效比。

该器件具备出色的数据传输速率与稳定性。其工作频率高达3200Mbps，在1.2V的标准工作电压下运行，支持DDR4标准的1.2V VDD/VDDQ电压，显著降低了动态和静态功耗。它集成了片上终端电阻（ODT）与数据总线翻转（DBI）功能，前者优化了信号完整性，减少了板级设计复杂度，后者通过减少数据总线上的电平翻转次数来进一步降低I/O功耗。其预取架构为8n，突发长度支持BL8和BC4（Burst Chop），为不同长度的数据访问提供了灵活性，并兼容多种时序配置（如CL、tRCD、tRP）。

在接口与参数方面，该芯片采用标准的78-ball FBGA封装，接口符合JEDEC DDR4规范。它提供x8的数据位宽，组成16Gb（2Gx8）的存储容量。其工作温度范围覆盖商业级（0°C to 95°C）标准，确保在常规计算环境下的可靠运行。时序参数如CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）等均经过精心优化，以在高速运行下维持严格的数据建立与保持时间窗口。对于需要稳定供应的客户，可以通过专业的三星芯片代理商获取该型号的原装正品及完整的技术支持。

凭借其高带宽、低延迟和优异的能效表现，K4E160811C-BC50非常适合应用于对内存性能有苛刻要求的主流计算平台。它常见于高性能台式电脑、工作站、企业级服务器的内存模组（DIMM）中，为数据处理、虚拟化、科学计算等应用提供核心存储支持。此外，在需要大容量、高可靠性内存的网络通信设备、存储阵列控制器等嵌入式系统中，它也是一款经过市场验证的可靠选择。

• 三星芯片标准型号：K4E160811C-BC50
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4E160811C-BC50，三星半导体产品一站式供应商。