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K4D263238D-QC50是一款采用先进工艺制造的DDR SDRAM存储芯片，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该芯片内部组织为4M行×16列×4 Bank的存储阵列，总容量达到256Mb，通过精密的行列地址复用与Bank交叉访问机制，实现了高效的数据吞吐与低延迟访问。其工作电压为2.5V±0.2V，I/O接口电压为2.5V±0.2V，确保了在标准DDR1规范下的稳定电气性能。

该器件具备一系列突出的功能特性，其最高运行频率可达200MHz（对应DDR400），在时钟的上升沿与下降沿均可进行数据传输，从而实现了双倍于时钟频率的有效数据速率。它支持可编程的CAS Latency（2， 2.5， 3）与Burst Length（2， 4， 8），为系统设计提供了灵活的时序优化空间。芯片内置了自动预充电与自刷新功能，有效简化了控制器设计并降低了系统功耗。对于需要可靠供应链的客户，可以通过专业的三星芯片代理获取此型号的原装正品与技术支持。

在接口与关键参数方面，K4D263238D-QC50采用66引脚TSOP-II封装，标准工作温度范围为0℃至70℃。其数据传输通过16位宽的双向数据总线（DQ0-DQ15）完成，并配备了两路差分数据选通信号（DQS， /DQS）以确保精确的数据采集窗口。地址与命令输入遵循JEDEC标准，兼容主流的内存控制器。芯片的预充电时间（tRP）、行激活到列激活延迟（tRCD）以及行周期时间（tRC）等关键时序参数均经过优化，以满足高速系统的严格要求。

凭借其稳定的性能与成熟的工艺，K4D263238D-QC50主要面向对成本与可靠性有较高要求的嵌入式系统与工业控制领域。它适用于网络通信设备、工业计算机主板、数字标牌、安防监控存储系统以及一些传统的消费电子升级方案。在这些应用场景中，该芯片能够为系统提供经济高效的大容量、中速率的临时数据存储解决方案，是构建稳定可靠电子系统的关键组件之一。

• 三星半导体完整型号：K4D263238D-QC50
• 存储器结构：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K4D263238D-QC50，三星半导体产品一站式供应商。