

三星电子推出的K4B2G164GC-HCH9是一款采用先进工艺制造的DDR3L SDRAM芯片,其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该器件内部组织为2Gb容量,具体构成为256M words × 8 banks × 16 I/Os,这种结构设计在提供高存储密度的同时,通过多bank操作有效提升了数据访问的并行性与效率,减少了行激活与预充电带来的延迟。其工作电压为1.35V,并兼容1.5V标准,较低的运行电压有助于显著降低系统整体功耗,尤其适用于对能效有严格要求的嵌入式与移动计算平台。
该芯片的功能特点突出表现在其高速数据传输能力与优异的信号完整性上。它支持DDR3-1866 (CL=13)的速度等级,数据传输速率最高可达1866Mbps/pin。内部集成了可编程的片上终端(ODT)与调平(Leveling)功能,这些特性对于抑制高速信号传输过程中的反射与串扰至关重要,能够简化主板设计并提升系统在复杂负载下的稳定性。此外,它支持自动刷新与自刷新模式,在维持数据有效性的前提下,为系统提供了灵活的电源管理策略。
在接口与关键参数方面,K4B2G164GC-HCH9采用标准的96-ball FBGA封装,外形紧凑,利于高密度PCB布局。其接口遵循JEDEC DDR3L标准,确保了与主流控制器良好的兼容性。时序参数如tRCD、tRP、tRAS等均经过优化,以满足高速运行的严格要求。对于需要可靠供应链与本地技术支持的客户,可以通过官方授权的三星芯片中国代理获取该产品,确保元器件的正品来源与后续服务。
基于其高性能、低功耗与高可靠性的特点,该芯片广泛应用于对内存带宽和能效比敏感的各种领域。典型应用场景包括高性能嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备(如路由器、交换机)、以及部分消费电子产品的核心主板。它能够为这些设备的数据缓存、程序运行和实时处理任务提供稳定且高效的内存解决方案,是构建现代数字系统核心存储子系统的重要组件之一。



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