

K4B2G0846D-HCK0是一款由三星电子设计并制造的高性能、低功耗DDR3L SDRAM存储芯片。该芯片采用先进的30nm级制程工艺,在单颗封装内集成了2Gb(256MB)的存储容量,其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术,内部由多个Bank组、行与列地址解码器、灵敏放大器以及高速数据I/O缓冲器构成。这种架构允许在单个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输,从而在相对较低的时钟频率下实现较高的有效数据带宽,是平衡性能、功耗与成本的主流解决方案。
该器件的工作电压为1.35V,并兼容1.5V标准DDR3电压,这一特性使其具备了显著的节能优势,尤其适用于对功耗敏感的应用环境。其内部预取架构为8n,配合可编程的CAS延迟、突发长度及写入恢复时间等时序参数,为系统设计提供了高度的灵活性。芯片支持自动刷新与自刷新模式,能有效管理数据保持期间的功耗,并通过片上终结电阻(ODT)功能来改善信号完整性,减少高速数据传输时的反射问题,从而提升系统在复杂PCB布局下的稳定性与可靠性。
在接口与关键参数方面,K4B2G0846D-HCK0采用标准的96-ball FBGA封装,外形紧凑,利于高密度PCB板设计。其时钟频率支持一系列速率等级,最高可达DDR3L-1600(对应时钟频率800MHz,数据速率1600MT/s)。芯片的接口采用SSTL_15/SSTL_135电平标准,命令与地址输入采用推挽式结构,确保了信号的快速与可靠传输。这些参数共同决定了其高带宽、低延迟的数据访问能力,以及优异的功耗控制表现,使其在同类产品中具有竞争力。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过专业的三星芯片代理商获取该产品及相关技术支持。
基于其技术特性,K4B2G0846D-HCK0广泛应用于需要中等容量、高性能内存的嵌入式系统与消费电子领域。典型应用场景包括但不限于:智能电视、数字机顶盒、网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制计算机、以及各种形式的嵌入式主板。在这些场景中,该芯片能够为处理器提供高效的数据缓冲与存储支持,满足多媒体处理、数据包转发、实时控制等任务对内存带宽和响应速度的要求,是实现设备流畅运行和快速响应的关键组件之一。



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