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K3UH5H50AM-AGCL 零件图片(仅供参考)

K3UH5H50AM-AGCL
三星半导体 订单到达,马上发货

K3UH5H50AM-AGCL 规格参数

在当今高性能计算与数据密集型应用中,对内存带宽和容量的需求持续攀升。K3UH5H50AM-AGCL作为一款面向企业级服务器、数据中心以及高端工作站设计的高性能内存模组,其核心架构基于先进的DDR4 SDRAM技术。它采用双列直插式内存模块(DIMM)形态,内部集成了多颗高密度、高速率的DRAM芯片,通过精密的信号完整性与电源管理设计,确保了在严苛工作环境下的稳定运行与卓越性能。该模组支持纠错码(ECC)功能,能够实时检测并修正单位元错误,极大提升了系统数据的可靠性与完整性,是构建关键任务系统的基石。

该内存模组的功能特点突出体现在其高带宽与低延迟表现上。它支持高达3200MT/s的数据传输速率,显著提升了处理器与内存子系统之间的数据交换效率,有效缓解了系统瓶颈。其工作电压典型值为1.2V,在提供强大性能的同时,也兼顾了能效比,有助于降低数据中心的整体功耗与运营成本。此外,模组内置的温度传感器(TS)支持串行存在检测(SPD)与平台环境控制接口(PECI),允许系统实时监控内存温度并进行动态热管理,从而保障长时间高负载下的稳定性和寿命。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的三星半导体代理获取此产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,K3UH5H50AM-AGCL采用288针的DIMM接口标准,与主流服务器平台兼容。单条模组提供高达32GB的容量选项,能够满足虚拟化、大型数据库、内存计算等应用对海量内存的需求。其时序参数经过精心优化,在高速运行下仍能保持严格的信号同步。模组支持寄存式(RDIMM)设计,通过位于模组上的寄存器缓冲命令、地址和控制信号,减少了主板内存控制器的电气负载,使得单个内存通道能够支持更多的DIMM插槽,从而显著提升系统的最大可扩展内存容量,为构建多路处理器、大内存配置的服务器提供了坚实基础。

基于其高可靠性、大容量和高带宽的特性,K3UH5H50AM-AGCL非常适用于对数据完整性和系统稳定性要求极高的应用场景。它是企业级服务器、云计算基础设施、高性能计算集群以及金融交易系统的理想选择。在人工智能训练、大数据分析、虚拟桌面基础架构等领域,该内存模组能够确保快速的数据存取和处理能力,支撑起复杂的工作负载。同时,其ECC纠错能力和热管理特性也使其在需要7x24小时不间断运行的电信核心网设备与工业控制系统中占据重要地位,为现代数字基础设施的可靠运行提供关键的内存解决方案。

  • 三星芯片型号:K3UH5H50AM-AGCL
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:32Gb
  • 架构:x64
  • 速率:4266Mbps
  • 工作电压:1.8 / 1.1 / 0.6 V
  • 工作温度:-25 ~ 85 °C
  • 封装:556FBGA
  • 产品状态:样品
  • K3UH5H50AM-AGCL,三星半导体产品一站式供应商。
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K3UH5H50AM-AGCL 基本参数:

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