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作为三星半导体旗下高性能存储解决方案的代表，K3PE7E700M-XGC1是一款面向企业级和数据中心应用的高密度、低功耗DDR3 SDRAM芯片。该芯片采用先进的30纳米级制程工艺制造，在单颗封装内集成了8Gb（1G x 8）的存储容量，构成了72位宽（包含8位ECC校验）的存储单元阵列。其核心架构设计注重信号完整性与数据可靠性，内部集成了温度补偿自刷新（TCSR）、片上端接（ODT）以及可编程的CAS延迟、写入延迟与预充电时间等关键电路，确保在高速运行下的时序稳定。

该器件的主要功能特性围绕高性能与高可靠性展开。其运行时钟频率高达1866Mbps（PC3-14900），提供了卓越的数据吞吐能力，能够有效满足内存密集型应用的需求。支持1.5V的标准工作电压以及1.35V的低电压选项，为系统设计提供了能效优化的灵活性，有助于降低整体功耗与散热成本。内置的纠错码（ECC）功能能够实时检测并校正单位错误，检测双位错误，极大地增强了数据存储的完整性和系统长期运行的稳定性，这对于要求7x24小时不间断工作的服务器和存储设备至关重要。

在接口与关键参数方面，K3PE7E700M-XGC1采用标准的FBGA封装，接口符合JEDEC DDR3 SDRAM规范。它支持突发长度（BL）为8的突发传输模式，预取架构为8n。其内部由8个Bank组成，支持Bank交错访问以提升效率。时序参数如tRCD、tRP、tRAS等均可通过模式寄存器（MR）进行配置，以适应不同的性能与延迟要求。该芯片的工作温度范围覆盖商业级（0°C至95°C TC）和工业级标准，具备良好的环境适应性。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过专业的三星半导体代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高密度、带ECC校验的高性能特性，K3PE7E700M-XGC1非常适用于对数据可靠性和吞吐量有严苛要求的应用场景。它是构建企业级服务器、高性能计算（HPC）集群、网络存储系统（NAS/SAN）、数据中心交换机以及高端工作站内存模组（尤其是Registered DIMM）的理想选择。此外，在金融交易系统、云计算基础设施和大型数据库服务器中，该芯片能够提供持续稳定的内存带宽，保障关键业务应用的流畅运行。

• 三星芯片标准型号：K3PE7E700M-XGC1
• 存储容量：
• 速度：
• 电源电压：
• 包装：
• 环保标准：
• K3PE7E700M-XGC1，三星半导体产品一站式供应商。