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三星半导体(Samsung)全球现货资源整合通路代理商
三星半导体(Samsung)公司概况:三星芯片中国授权代理

1974年三星电子收购Hankook半导体后在韩国成立了半导体业务部。通过实施积极的扩张战略,三星从1993年起成功赢得并保持内存市场领导地位,从2003年起NAND Flash市场占有率居世界第一。位于韩国器兴的三星电子半导体业务部,由三个主要业务部门组成:记忆体、系统LSI以及储存系统。2010年2月,三星电子成为世界上第一家可商业化生产30nm级DRAM器件的厂家。在DDR3批量生产过程中采用30nm-级工艺技术,与采用40nm-级工艺技术生产DDR3相比,生产效率提高了60%。在2004年,三星首先推出了其具有广泛用途的OneNAND,这是NOR闪存与NAND闪存的一种独特融合产物。2008年9月,三星推出了多媒体手机专用512Mb OneDRAM,并开始为世界主要手机制造商提供其制造的1Gb OneDRAM样品。NAND 闪存:从2002年开始,三星就成为世界上领先的NAND闪存制造商。三星的NAND闪存已经成为诸如数码相机,手持设备,MP3播放器以及U盘等产品中必不可少的关键部件。2010年4月,三星在业界率先开始了用于安全数码存储卡(SD卡)及嵌入式内存解决方案的20nm–级NAND芯片的大规模生产,三星在三星芯片代理商销售及技术开发方面,继续保持行业领先地位...

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2026年2月22日被热门搜索和购买的三星芯片器件型号更多...
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固定电感器
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陶瓷电容器
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存储芯片
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固定电感器
CIC21P601NE
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CL21B102JBANNNC
陶瓷电容器
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陶瓷电容器
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存储芯片
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存储芯片
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陶瓷电容器
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存储芯片
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LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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陶瓷电容器
RC1005F4871CS
芯片电阻
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陶瓷电容器
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陶瓷电容器
K4B2G1646F-BYKO
存储芯片
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存储芯片
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固定电感器
SPHWHAHDND27YZU2D3
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
RC1005F3740CS
芯片电阻
RC1005F114CS
芯片电阻
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陶瓷电容器
K9F2808UOC-PCB0
存储芯片
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陶瓷电容器
RC1005F54R9CS
芯片电阻
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SRAM存储器IC
CIH10TR10JND
固定电感器
CL31F106ZPFNNNE
陶瓷电容器
RC1608F1332CS
芯片电阻
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NAND Flash
SPHWHAHDND27YZV2DB
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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陶瓷电容器
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DRAM存储器IC
SPHWHAHDNG25YZV3K2
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
SPHWH1L3D30ED4T0G3
LED 照明 - 白色
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陶瓷电容器
K9F1G08U0E-SIB0
存储芯片
KM62U256CLGE-8L
SRAM存储器IC
RC3216F101CS
芯片电阻
K4B8G1646D-BYNB
双倍数据率同步动态随机存储器
CL03X104KR3NNNH
陶瓷电容器
KM44C1000DJ-6
DRAM存储器IC
K4X4016T3F-UF70
存储芯片
RU2012FR010CS
芯片电阻
K9G2G08UOM-PCBO
存储芯片
RC3216J3R0CS
芯片电阻
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芯片电阻
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存储器模组
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存储芯片
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芯片电阻
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存储芯片
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SPMWHT221MD5WAQMS0
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陶瓷电容器
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陶瓷电容器
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陶瓷电容器
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存储芯片
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陶瓷电容器
SPHWHAHDNC27YZV2D2
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LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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陶瓷电容器
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陶瓷电容器
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铁氧体磁珠和芯片
SI-B8T111550WW
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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陶瓷电容器
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三星电子半导体业务部由记忆体、系统LSI以及储存系统三个主要业务部门组成,三星NAND Flash市场占有率居世界第一

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