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三星半导体(Samsung)全球现货资源整合通路代理商
三星半导体(Samsung)公司概况:三星芯片中国授权代理

1974年三星电子收购Hankook半导体后在韩国成立了半导体业务部。通过实施积极的扩张战略,三星从1993年起成功赢得并保持内存市场领导地位,从2003年起NAND Flash市场占有率居世界第一。位于韩国器兴的三星电子半导体业务部,由三个主要业务部门组成:记忆体、系统LSI以及储存系统。2010年2月,三星电子成为世界上第一家可商业化生产30nm级DRAM器件的厂家。在DDR3批量生产过程中采用30nm-级工艺技术,与采用40nm-级工艺技术生产DDR3相比,生产效率提高了60%。在2004年,三星首先推出了其具有广泛用途的OneNAND,这是NOR闪存与NAND闪存的一种独特融合产物。2008年9月,三星推出了多媒体手机专用512Mb OneDRAM,并开始为世界主要手机制造商提供其制造的1Gb OneDRAM样品。NAND 闪存:从2002年开始,三星就成为世界上领先的NAND闪存制造商。三星的NAND闪存已经成为诸如数码相机,手持设备,MP3播放器以及U盘等产品中必不可少的关键部件。2010年4月,三星在业界率先开始了用于安全数码存储卡(SD卡)及嵌入式内存解决方案的20nm–级NAND芯片的大规模生产,三星在三星芯片代理商销售及技术开发方面,继续保持行业领先地位...

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2026年4月14日被热门搜索和购买的三星芯片器件型号更多...
RC0603J221CS
芯片电阻
CL21B184KOANNNC
陶瓷电容器
K9F1208UOM-YIBO
存储芯片
CL21C430JBANNNC
陶瓷电容器
SI-B8V101560US
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
K4B2G0846F-BYK0
双倍数据率同步动态随机存储器
SPHWHAHDNM251ZW2DB
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
CL21X106MAYNNNE
陶瓷电容器
SI-B8T261280WW
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
KLM2G1HE3F-B001
存储芯片
K4F660811C-TC60
存储芯片
CL31C680KBCNBNC
电容器阵列
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芯片电阻
KMM377S823BT1-GH
存储器IC
KM416V1004CJ-6
DRAM存储器IC
KM416C1204CT-45
存储芯片
CL10F224ZO8NNNL
陶瓷电容器
CL10B473KA8NNNC
陶瓷电容器
RC1608F1912CS
芯片电阻
SPHWHAHDND27YZT2H4
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
SPHWHAHDNF25YZQ3D3
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
SPMWHT541MD5WAV0SC
LED 照明 - 白色
K4F8E3S4HB-MFCJ
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
CIM21J301NE
铁氧体磁珠和芯片
K4S513233F-EL1L
DRAM存储器IC
K4S561632D-UC75
DRAM存储器IC
RC1608J2R0CS
芯片电阻
RC3216F3162CS
芯片电阻
SPHWHAHDNF25YZV3D3
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
K4H280838DTCB0
DRAM存储器IC
RC1608F3920CS
芯片电阻
RC1005F7321CS
芯片电阻
K4S281632I-UC75000
DRAM存储器IC
K9F1208UOC-PIBO
存储芯片
RC1608F3160CS
芯片电阻
KM44C4004CK-L6
DRAM存储器IC
RC1005F2672CS
芯片电阻
K9W4G08U1M-PCBO
存储芯片
CL05C390JB5NNNC
陶瓷电容器
CL31C040CBCNNNC
陶瓷电容器
K5E1257HCM-DO75
存储芯片
KFM8G16Q5M-BEB8000
存储芯片
RC1005F153CS
芯片电阻
RC1608F163CS
芯片电阻
K9LBG08U0D-PCB0
存储器模组
SI-B8T341B2001
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
RC1005F9761CS
芯片电阻
RC1608F2103CS
芯片电阻
K9HBG08U1M-PIBO
存储芯片
SPHWW1HDNA2VYHU31F
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
CIL10NR18KNC
固定电感器
CIB10P300NC
铁氧体磁珠和芯片
CIG22LR47MNE
固定电感器
K4D261638F-TC50
存储芯片
RC1608F1624CS
芯片电阻
K9F8G08U0M-PCBO
存储芯片
K9F5608U0D-PIBO
存储芯片
KM44V4004CK-L5
DRAM存储器IC
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陶瓷电容器
K4F660412D-JC60
存储芯片
CL21C331JBANNNC
陶瓷电容器
SPHWHAHDNK27YZV3D3
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
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陶瓷电容器
SPHWHAHDNF25YZQ3D2
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
KLM4G1EEHM-B101
闪存IC
K7N161801A-QC13000
SRAM存储器IC
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陶瓷电容器
CIL21J1R8KNE
固定电感器
K6R4008C1D-TI10
SRAM存储器IC
K4X51163PI-FGC6
存储芯片
CIH10T4N7SNC
固定电感器
KM416C1200CJ-5
DRAM存储器IC
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存储芯片
CIM05F470NC
铁氧体磁珠和芯片
CL21B474KBFNNNF
陶瓷电容器
CIG10WR27MNC
固定电感器
SPHWW1HDN825YHV3EE
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
RC1608J135CS
芯片电阻
SI-N8R1123B1US
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
CL21B155KAFNNNE
陶瓷电容器
RC2012F6982CS
芯片电阻
RC2012F515CS
芯片电阻
RC2012J3R6CS
芯片电阻
RC2012F335CS
芯片电阻
CL10F224ZO8NNND
陶瓷电容器
SPHWHAHDNF25YZW3D2
LED 照明 - COB,引擎,模块,灯条
K9K2G08UOA-PCBO
存储芯片
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三星电子半导体业务部由记忆体、系统LSI以及储存系统三个主要业务部门组成,三星NAND Flash市场占有率居世界第一

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